O 2MBI400U4H-170 é um módulo de potência IGBT duplo (2 em 1) de alta performance fabricado pela Fuji Electric, projetado principalmente para aplicações industriais de alta tensão e comutação rápida.

O 2MBI200N-120 é um módulo de potência IGBT duplo (Half-Bridge) fabricado pela Fuji Electric. Projetado para comutação de alta potência e alta frequência, ele suporta uma tensão máxima de 1200V e uma corrente contínua de 200A.

O MIG150J7CSB1W é um Módulo de Potência Inteligente (IPM – Intelligent Power Module) composto por transistores IGBT de canal N, fabricado principalmente pela Toshiba.

O MG100J6ES40 é um módulo de potência IGBT de 6 packs (6-in-1), fabricado originalmente por empresas como Toshiba e Mitsubishi Electric, projetado para chaveamento de alta potência com tensão nominal de 600V e corrente de 100A.

O BSM50GX120DN2 é um módulo de potência IGBT de alta eficiência fabricado originalmente pela Eupec (adquirida pela Infineon Technologies).

O FP50R12KT3 é um módulo de potência IGBT da Infineon Technologies configurado como EconoPIM3.

O FZ600R12KE3 é um módulo de potência IGBT único (Single Switch) fabricado pela Infineon Technologies.

O FS100R12KE3 é um módulo de potência IGBT trifásico (configuração Sixpack) fabricado pela Infineon Technologies.

O FP75R12KE3 é um módulo de potência IGBT da Infineon Technologies, amplamente utilizado em eletrônica industrial para controle de motores e inversores.

O CM400HA-24H é um módulo de potência IGBT único (Single IGBT Module) de alta capacidade fabricado originalmente pela Mitsubishi Electric.